Новая флеш-память

Швейцарскими учеными из университета Лозанны, открыты и изобретены опытные образцы флеш-памяти с толщиной в один атом. Опыт смог стать удачным, благодаря слиянию двух образцов - молибденита и графена, что позволило получить новые ячейки и памяти и назвать это прорывом в производстве устройств носителей и хранения информации. Данные экспериментальные образцы показывают выдающиеся показатели в эффективности своей работы, имеют очень малые показатели потребления электроэнергии, обладают отличными характеристиками гибкости и размера. Флеш память же старого образца, которая применяется в наших телефонах, не так эффективна и иногда выходит из строя. Поэтому телефоны и другие мобильные устройства приходится ремонтировать.

При помощи самого материала молибденита, ранее уже были созданы образцы компьютерных чипов, но производство флеш-памяти удалось впервые. Это наталкивает на мысль о том, что молибденит в будущем станет одним из самых востребованных материалов в электронике и компьютерной промышленности. Идея по-настоящему стоящая еще и потому, что были совмещены уникальные свойства в электропроводности графена и полупроводниковые показатели молибденита, ранее этого не делал никто.

Какую пользу принесет это изобретение непосредственному пользователю флеш-карт?

Ответ очевиден, карты сильно потеряют в своих размерах, станут гибкими и не будут подвержены перегоранию. Само химическое соединение графена и молибденита, получило химическую формулу MoS2, соединение имеет уникальную в своем роде кристаллическую решетку и энергетическую группу, что позволяет свести к минимуму затраты электроэнергии при изменении статуса активности устройства. Элемент флеш-памяти транзистор, выполнен почти идентично полевому транзистору, однако из середины изъят кремний и добавлен молибденит, а из графена выполнены нижние электрода, которые осуществляют подачу электроэнергии. В завершении устройства находится несколько слоев графена, которые позволяют накопить достаточное количество электроэнергии для пассивного существования в долгий период времени.

Опытный образец пока не может похвастаться приличным объемом памяти, но это вопрос времени и работы. Гибкость, малый размер и низкое потребление электроэнергии, позволяет понять о научном прорыве в области производства флеш-карт.